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計畫主持人:
吳肇欣
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所屬單位:
電機資訊學院
電機工程學系
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| 儀器名稱 |
英文:
Electron Beam Lithography System
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中文:
電子束微影系統
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儀器相關照片 |
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放置地點 |
電機二館128室
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| 聯絡資料 |
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| 網站連結 |
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可否提供
校外服務 |
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| 使用方式 |
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| 儀器基本規格 |
Drawing method: Vector scanning
Stage movement: Step and repeat
Electron beam shape: Spot beam (Gaussian)
Lithography field size: 2400μm square, 1200μm square, 600μm square, 300μm square, 150μm square, 75μm square
Minimum line width: 10nm (50kV, 75μm square field)
Beam positioning: 240000x240000 positions (maximum)
Beam positioning resolution: 0.31nm(75μm square field ), 2.5nm (600μm square field)
Scan step: 60000 x 60000 steps (maximum)
Scan rate: 0.1μsec/step ~ 3200μsec/step. The rate can be changed on 0.05μsec/step unit.
Emitter: ZrO/W thermal field emitter
Acceleration voltage: 50kV, 30kV, 20kV changeover
Minimum beam diameter: 2nm (50kV)
Beam current: 1pA~50nA
Stage movement range: X direction: 100mm, Y direction: 110mm, Z direction: 5mm
Minimum step and stage movement: X, Y direction: 1μm, Z direction: 0.1μm
Field stiching accuracy: 30nm
Maximum specimen size: 4" wafer or 4" square mask
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| 儀器功能描述 |
利用能量為五萬電子伏特(eV)的「電子束」作為曝光源將所需的圖形縮小複製到晶片上，電子的波長比一般光微影製程所使用的光源波長更小，因此能提供更高的解析度。
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| 儀器schedule |
檢視
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| 服務項目及收費標準 |
| 服務項目 | 時段[院內] | 以次[院內] | 會費[院內] | 時段[校內] | 以次[校內] | 會費[校內] | 時段[校外] | 以次[校外] | 會費[校外] |
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電子束微影
| ──── | ──── | 80000 | ──── | ──── | 100000 | ──── | ──── | 200000 |
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